中电海康申请 MRAM 存储位元和存储阵列专利，提高存储性能

金融界 2024 年 12 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司申请一项名为“MRAM 存储位元和存储阵列”的专利，公开号 CN 119068935 A，申请日期为 2023 年 6 月。

专利摘要显示，本发明提供一种 MRAM 存储位元及存储阵列，包括：压电层；

反铁磁金属层，位于压电层上方；磁性隧道结，位于反铁磁金属层上方，包括层叠的自由层、隧穿层和参考层，

自由层靠近反铁磁金属层，自由层和参考层具有垂直磁各向异性；其中，压电层具有逆压电效应，在不同的电压下具有不同的应力状态；反铁磁金属层靠近自由层的界面处具有可翻转的未补偿磁矩，未补偿磁矩产生一个交换偏置场，当压电层提供的应力传递至反铁磁金属层靠近自由层的界面处时，未补偿磁矩翻转，交换偏置场的方向翻转，带动自由层的磁矩翻转。

本文源自：金融界